简介

原理

特点

简介

扩展位错extended dislocation一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为扩展位错。

原理

扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk式中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的位错扩展反应。两个肖克利不全位错与中间相联的一条层错带。在fcc晶体中两个不同的、相互截交的{111}面交线附近还可以通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成一个复杂的不可动体系，称为面角位错，又称洛默一科特雷尔位错锁。hcp晶体中因为只有唯一的(0001)面，所以位错扩展的方式比较单纯。bcc晶体中全位错分解的方式较多，例如在(112)面上可以发生扩展。

特点

扩展位错有时在某些地点由于某种原因会发生局部的收缩，合并为原来的非扩展状态，这种过程称为扩展位错的束集。扩展位错上的割阶多是发生束集的地点，不过出现扩展割阶的情况也是很多的。

扩展位错的束集或扩展的割阶上会发生许多极有趣的位错反应或变换。正常的扩展位错不能交叉滑移到其它滑移面内，但一旦形成束集，交叉滑移即可发生。扩展位错的宽度，即两个不全位错之间的距离，或扩展位错其间层错带的宽度W决定于两个不全位错间的斥力与层错表面张力间的平衡。扩展位错的运动受到整个体系复杂形位的制约。上文所述位错锁就是一例。位错的扩展在电子显微镜下清晰可见。但并非所有的扩展位错不全位错与扩展位错层错构成的体系均与位错之扩展有关，例如弗兰克位错环及其所围绕的层错片就不是位错扩展过程所生成的。