词条 | MOS集成电路结构与制造技术 |
释义 | 《MOS集成电路结构与制造技术》利用集成电路剖面结构技术,系统地介绍MOS集成电路结构和典型集成电路制造技术,包括PMOS、NMOS、CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS以及LV/HV兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺剖面结构,从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术,介绍了40余种典型集成电路制造技术,并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。 基本信息书名:MOS集成电路结构与制造技术 作者:潘桂忠 合者:孙吉伟 任翀 出版社:上海科学技术出版社 出版时间:2010年01月 国际标准书号:9787532399901 开本:16开 定价:68.00 元 内容简介《MOS集成电路结构与制造技术》技术含量高,非常实用,可作为从事MOS集成电路设计、制造等方面工程技术人员的参考资料或者是公司员工培训的教材,也可以作为微电子专业高年级本科生的重要参考书,同时可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。 集成电路各种剖面结构和工艺制程图示的复制引用,转载时,必须得到该版权所有者的同意,否则将依法追究责任。 图书目录第1章 PMOS集成电路结构与制造技术 1.1 铝栅E/E型PMOS结构 1.2 硅栅E/E型PMOS结构 1.3 铝栅E/D型PMOS结构 1.4 硅栅E/D型PMOS结构 1.5 铝栅E/E型PMOS工艺制程 1.6 硅栅E/D型PMOS工艺制程 第2章 NMOS集成电路结构与制造技术 2.1 E/E型NMOS(A)结构 2.2 E/E型NMOS(B)结构 2.3 E/D型NMOS(A)结构 2.4 E/D型NMOS(B)结构 2.5 E/D型NMOS(C)结构 2.6 E/D型NMOS EPROM结构 2.7 E/D型NMOS EEPROM结构 2.8 E/D型NMOS DRAM结构 2.9 E/D型NMOS SRAM结构 2.10 E/E型NMOS(A)工艺制程 2.11 E/D型NMOS(A)工艺制程 2.12 E/D型NMOS(B)工艺制程 2.13 E/D型NMOS SRAM工艺制程 第3章 P-WdlCMOS集成电路结构与制造技术 3.1 铝栅P-Well CMOS(A)[薄场]结构 3.2 铝栅P-Well CMOS(B)[薄场]结构 3.3 铝栅P-Well CMOS(A)[厚场]结构 3.4 铝栅P-Well CMOS(B)[厚场]结构 3.5 铝栅P-well CMOS(C)[厚场]结构 3.6 铝栅P-Well CMOS(D)[厚场]结构 3.7 铝栅P-Well CMOS(E)[厚场]结构 3.8 硅栅P-Well CMOS(A)结构 3.9 硅栅P-Well CMOS(B)结构 3.10 硅栅P-Well CMOS(C)结构 3.11 硅栅P-Well CMOS(D)结构 3.12 硅栅P-Well CMOS(E)结构 3.13 硅栅P-Well CMOS(F)结构 3.14 铝栅P-Well CMOS(A)[薄场]工艺制程 3.15 铝栅P-Well CMOS(A)[厚场]工艺制程 3.16 铝栅P-Well CMOS(C)[厚场]工艺制程 3.17硅栅P-Well CMOS(B)工艺制程 3.18 硅栅P-Well CMOS(C)工艺制程 3.19 硅栅P-Well CMOS(E)工艺制程 第4章 N-Well CMOS集成电路结构与制造技术 4.1 N-Well CMOS(A)结构 4.2 N-Well CMOS(B)结构 4.3 N-Well CMOS(C)结构 4.4 N-Well CMOS(D)结构 4.5 N-Well CMOSEPROM结构 4.6 N-Well CMOSEEPROM(A)结构 4.7 N-Well CMOSEEPROM(B)结构 4.8 N-Well CMOSFlaSh(A)结构 4.9 N-Well CMOSFlaSh(B)结构 4.10 N-Well CMOSSRAM:结构 4.11 N-Well CMOSDRAM(A)/(B)结构 4.12 N-Well CMOSDRAM(C)/(D)结构 4.13 N-Well CMOS(C)工艺制程 4.14 N-Well CMOS(D)工艺制程 4.15 N-Well CMOSEPROM工艺制程 4.16 N-Well CMOSEEPROM(A)工艺制程 4.17 N-Well CMOSDRAM(B)工艺制程 4.18 N-Well CMOSSRAM工艺制程 第5章 亚微米/深亚微米CMOS集成电路结构与制造技术 5.1 亚微米Twin-WellCMOS(SMA)结构 5.2 亚微米Twin-WellCMOS(SMB)结构 5.3 亚微米Twin-WellCMOS(SMC)结构 5.4 亚微米Twin-WellCMOS(SMD)结构 5.5 亚微米CMOS MaSk ROM(SMA)结构 5.6 亚微米CMOS MaSk ROM(SMB)结构 5.7 亚微米CMOS MaSk ROM(SMC)结构 5.8 亚微米CMOSEEPROM结构 5.9 深亚微米Twin-wellCMOS(DSMA)结构 5.10 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMB)结构 5.11 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMC)结构 5.12 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMD)结构 5.13 深亚微米Twin-Well CMOS(DSME)结构 5.14 超深亚微米Twin-Well CMOS(VDSM)结构 5.15 亚微米CMOS(SMB)工艺制程 5.16 亚微米CMOS(SMC)工艺制程 5.17 亚微米CMOSMASKROM(SMA)工艺制程 5.18 深亚微米CMOS(DSMB)工艺制程 5.19 深亚微米CMOS(DSMC)工艺制程 第6章 低压/高压兼容CMOS集成电路结构与制造技术 6.1 低压/高压兼容P-Well CMOS(A)结构 6.2 低压/高压兼容P-Well CMOS(B)结构 6.3 低压/高压兼容P-Well CMOS(C)结构 6.4 低压/高压兼容N-Well CMOS(A)结构 6.5 低压/高压兼容N-Well CMOS(B)结构 6.6 低压/高压兼容N-Well CMOS(C)结构: 6.7 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(A)结构 6.8 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(B)结构 6.9 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(C)结构 6.10 LV/HV兼容P-Well CMOS(B)工艺制程 6.11 LV/HV兼容P-Well CMOS(B*)工艺制程 6.12 LV/HV兼容N-Well CMOS(B)工艺制程 6.13 LV/HV兼容N-Well CMOS(C)工艺制程 6.14 LV/HV兼容Twin-Well CMOS(B)工艺制程 第7章 BiCMOS集成电路结构与制造技术 7.1 P-Well BiCMOS[c]-(A)结构 7.2 P-Well BiCMOS[C]-(B)结构 7.3 P-Well BiCMOS[B]-(A)结构 7.4 P-Well BiCMOS[B]-(B)结构 7.5 P-Well BiCMOS[B]-(C)结构 7.6 P-Well BiCMOS[B]-(D)结构 7.7 N-Well BiCMOS[C]-(A)结构 7.8 N-Well BiCMOS[C]-(B)结构 7.9 N-Well BiCMOS[B]-(A)结构 7.10 N-Well BiCMOS[B]-(B)结构 7.11 Twin-Well BiCMOS[C]结构 7.12 Twin-Well BiCMOS[B]-(A)结构 7.13 Twin-Well BiCMOS[B]-(B)结构 7.14 Twin-Well BiCMOS[B]-(C)结构 7.15 Twin-Well BiCMOS[B]-(D)结构 7.16 Twin-Well BiCMOS[B]-(E)结构 7.17 P-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程 7.18 P-Well BiCMOS[B]-(D)工艺制程 7.19 N-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程 7.20 N-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程 7.21 Twin-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程 7.22 Twin-Well BiCMOS[B]-(D)工艺制程 第8章 LV/HV兼容BiCMOS集成电路结构与制造技术 8.1 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[C]-(A)结构 8.2 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[C]-(B)结构 8.3 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[B]-(A)结构 8.4 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[B]-(B)结构 8.5 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[C]-(A)结构 8.6 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[C]-(B)结构 8.7 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[B]-(A)结构 8.8 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[B]-(B)结构 8.9 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-(A)结构 8.10 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-(B)结构 8.11 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(A)结构 8.12 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(B)结构 8.13 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(C)结构 8.14 LV/HVP-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程 8.15 LV/HVP-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程 8.16 LV/HVN-Well BiCMOS[C]-(B)工艺制程 8.17 LV/HVN-Well BiCMOS[B]-(B)工艺制程 8.18 LV/HVTwin-Well BiCMOS[Sl一(A)工艺制程 8.19 LV/HVTwin-Well BiCMOS[B]-(B)工艺制程 第9章 LV/HV兼容BCD集成电路结构与制造技术 9.1 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(A)结构 9.2 低压/高压兼容P-Well BCD[c]-(B)结构 9.3 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(C)结构 9.4 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(D)结构 9.5 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(A)结构 9.6 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(B)结构 9.7 低压/高压兼容N-Well BCD[c]-(c)结构 9.8 低压/高压兼容N-Well BCD[c]-(D)结构 9.9 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(E)结构 9.10 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(F)结构 9.11 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A)结构 9.12 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(B)结构 9.13 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(C)结构 9.14 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(D)结构 9.15 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(E)结构 9.16 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(F)结构 9.17 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A1)结构 9.18 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A2)结构 9.19 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A3)结构 9.20 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A4)结构 9.21 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(B*)结构 9.22 低压/高压兼容Twin-Well BCD[C]结构 9.23 低压/高压兼容Twin-Well BCD[B]结构 9.24 LV/HVP-Well BCD[C]-(C)工艺制程 9.25 LV/HV-N-Well BCD[C]-(D)工艺制程 9.26 LV/HVP-Well BCD[B]-(F)工艺制程 9.27 LV/HVP-Well BCD[B]-(A3)工艺制程 9.28 LV/HVP-Well BCD[B]-(B*)工艺制程 9.29 LV/HVTwin-Well BCD[B]工艺制程 附录Ⅰ 参考资料 附录Ⅱ 术语缩写对照 附录Ⅲ 简要提示 作者简介潘桂忠,1959年毕业于南京大学物理系半导体物理专业,高级工程师,贝岭微电子公司原技术工程部经理,从事LSI/VLSI设计、生产以及工艺技术研究长达50年。 先后负责启动并运转三个厂家(航天韶771所、香港华科、上海贝岭)引进的LSI生产线,并实现了大批量生产;研制并开发了各种工艺技术;研制并生产了各种LSI/VLSI,其中上海贝岭LSI大批量生产成功后,邓小平等国家领导人曾来厂参观。“航天部专用MOSIC的设计和制造”获航天部三等功;“S1240电话交换机专用LSI制造、生产和国产化”(国家引进重点项目)分别获上海市优秀新产品成果一等奖、科学技术进步奖和国家科技进步三等奖。参与《超纯硅的制备和分析》与《世界IC发展趋势》的编译和《实用IC工艺手册》的编著,发表论文30余篇。 |
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