BJT的基区宽度在大电流时发生展宽的现象，即称为基区展宽（扩展）效应，也称为Kirk效应。

BJT在大电流工作时还容易出现的一些效应是“发射极电流集边效应（基极电阻自偏压效应）”和“基区电导调制效应（Webster效应）”。

基区展宽效应（Kirk效应）不同于基区宽度调制效应（Early效应），后者是在较大集电结电压时所出现的一种现象，是基区宽度随电压而发生变化，不是基区宽度的净展宽。

（1）基区展宽效应的产生机理：

对于一般放大工作的npn-BJT，由于集电结加有反向电压，则在基区尾部、靠近集电结势垒边缘处的电子(少子)被抽出、使得该处的电子浓度=0。但是如果是在大电流工作时，由于注入的电子浓度很大，所以这时在基区尾部、集电结势垒边缘处，电子(少子)浓度实际上并不为0，而是等于Jc/(qvs)，其中Jc是集电极电流密度，vs是电子的饱和漂移速度（接近电子的热运动速度，～106s/cm）；在这种情况下，电子在中性基区内虽然被空穴所中和，但电子在进入到集电结耗尽层内后却增加了耗尽层中的负电荷，从而在集电结电压Vbc不变时，就将使得集电结的负空间电荷层变窄(正空间电荷层相应变宽)，这就导致基区变宽；进一步，若集电极电流密度Jc增大到Jc/(qvs)>Nc时（Nc是集电区的掺杂浓度），则集电结的负空间电荷层将推移到集电区内，即中性基区进一步展宽到集电区，这就是产生了Kirk效应——基区展宽效应。　根据集电结耗尽层（令其中电场的分布为E(x)）的Poisson方程 dE/dx = -q [(Jc/(qvs)-NC]/eeo，

则可以计算出产生Kirk效应的临界电流密度为： Jco ≈ q vs Nc。

当集电极电流密度大于Jco时，即将出现Kirk效应。

（2）基区展宽效应所造成的影响：

①使基区空间体积增大，导致存储少子电荷数量增加，开关速度下降；

②使电流放大系数b下降，导致工作电流受到限制（Kirk效应是造成BJT在大电流时b下降的主要原因，当b下降到一半时的集电极电流即定为BJT的最大工作电流）；

③使少子渡越基区的时间增长，器件频率特性变差（Kirk效应是造成BJT在大电流时特征频率fT下降的主要原因）。

总之，Kirk效应对于BJT的高频功率性能有着很大的不良影响，所以在设计高频大功率BJT时，所需要解决的主要问题就是如何减小或防止Kirk效应。

（3）防止出现基区展宽效应的方法：

采取的主要方法是限制集电极电流密度Jc，使得它不要超过产生Kirk效应的临界电流密度Jco。

具体的有效措施是：①提高集电区的掺杂浓度，以增大临界电流密度；②减小集电区的厚度，以限制集电结耗尽层的不断推移；③设定集电极最大允许工作电流。