| 词条 | 基区宽度调变效应 |
| 释义 | 双极晶体管基区宽度调变效应（或称基区宽变效应），即基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象。 PN结空间空间电荷区的宽度由外加电压、杂质浓度等决定。当晶体管处于放大工作状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，而且反偏电压VCB较高。随着反偏电压的升高，集电结空间电荷区宽度增加，使有效基区宽度减小，而当反偏电压降低，集电结空间电荷区宽度随之减小，导致有效基区宽度增加。则Ic变小。这种基区有效宽度随外加电压变化而变化的现象就称为基区宽度调变效应，也称厄尔利(Early)效应 |
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