词条 | irf3205 |
释义 | 基本信息简介IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 基本参数开态电阻, Rds(on):8mohm 封装类型:TO-220AB TO-262 D2Pak 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:55V 电流, Id 连续:110A Qg Typ: 97.3 nC FET极性: N型沟道 特性先进的工艺技术 贴片安装 低端通孔安装 超低导通阻抗 动态dv/dt率 175℃工作温度 快速转换速率 无铅环保 |
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