基本信息

简介

IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

基本参数

开态电阻, Rds(on):8mohm 封装类型:TO-220AB TO-262 D2Pak 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:55V 电流, Id 连续:110A Qg Typ： 97.3 nC FET极性: N型沟道

特性

先进的工艺技术 贴片安装 低端通孔安装 超低导通阻抗 动态dv/dt率 175℃工作温度 快速转换速率 无铅环保