集成电路（IC）中采用的电容器基本上有两种：MOS电容器和p-n结电容器。

MOS电容器的一个极板是衬底上的重掺杂区[如发射区]，另一个极板是顶层的金属膜，中间可用热生长的SiO2膜作为介质层；MOS电容器的电容量与介质层的介电常数成正比，为了增大电容量，希望采用较大介电常数的介质材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介电常数分别为3.9、8和22]；MOS电容器的电容量基本上与电压无关，并且其串联电阻小，又几乎不存在漏电流。

p-n结电容器一般采用n+-p型式，并且需要加反向偏压（以防pn正偏而漏电），则其电容量与电压有关；而且电容量通常不能制作得很大，其串联电阻也要比MOS电容器的大得多。