硅晶地暖

硅晶地暖结构

硅晶地暖的优点

中华人民共和国知识产权局 专利检索

硅晶地暖

新采暖方式——硅晶地暖发热片产品，此产品采用国际领先技术研制而成，是我国采暖技术领域的一项重大突破。

据了解，硅晶地暖发热片升温迅速、环保、节能、安静，并且可分区采暖，可带给用户舒适、安全、健康的采暖体验；并且省电节能，比空调、水暖、电热膜、发热电缆等地暖系统均节省运行费用；具有发热快，蓄热时间长，可拆卸再利用，花费少并且不需要维修的优势，正常使用寿命达50年以上。

经检索，硅晶地暖发热片产品目前在世界上处于领先地位。硅晶地暖产品自2000年开始研发,国家专利.2003年被列入国家级星火计划项目。上海正攀实业有限公司通过7年的研发,改进和完善,

硅晶地暖结构

硅晶地暖硅顾名思义，是主要由硅元素形成结晶体、通电后能够发热的地暖产品，也是远红外平面板块辐射式硅晶地暖发热薄板的简称，专利名称为：“一种硅晶地暖发热板（以下简称‘硅晶地暖发热板’）”。

发热板是泛指通电后可以升温发热的板块。地暖发热板则是指专用于地面供暖系统的发热板，其设计的表面温度为标准工况下45摄氏度左右，温升能力在20摄氏度以上。

硅晶地暖发热板是“多功能复合电热薄片”的升级产品，通过后期不断技术革新，现产品主要生产工艺是由二层以上的FR-4 浸胶玻璃纤维环氧树脂半固化片，以中间层包覆发热层基板上下叠合，通过高温冷压一次成型，制成1毫米左右厚度的平面板块。硅晶地暖发热板的标准规格为：长1000毫米、宽600毫米、厚0.8毫米。板面为黑色。硅晶地暖发热板留有二根长度为150毫米左右、颜色分别为红色和蓝色的镀银耐高温电源线抽头，以便安装时对接主电源。

硅晶地暖发热板的发热层由丙烯酸、树脂、石墨、丙醇、纯净水、碳黑、银浆、钛、锰、硅等多种材料构成。这种发热层是利用专用设备将上述材料均匀涂布在环氧树脂片基板上形成半导体电阻式发热体，通电升温发热后形成结晶体。这种发热层发热性能稳定而持久。

硅晶地暖的优点

1.硅晶地暖系统节能

硅晶地暖是由优质专用材料制成的，由于产品设计时固定了其电阻值，所以通电以后就会产生热量。说本产品节能，是应为该产品的热效率很高，基本可以说是100%，也就是说，你所供给的电能几乎都产生了热能，所以非常节能。此外，本产品呈正温度系数，既当温度达到设计温度后，电阻值升高，功率下降，所以节能。

2.硅晶电热地暖系统运行费用比其它地暖系统便宜

硅晶电热地暖系统开启15分钟地表温度即可达到设计标准（约28度左右），2小时左右房屋空间温度达到设计标准（18----20度）。两小时以后即可按设定的时控进行工作，工作10分钟，休息20分钟。按此计算一天（24小时—2小时）×20分钟=440分钟。440分钟+120分钟=660分钟，也就是满负荷运转为11小时。在实际使用中，没有人的房间你不会开吧？白天没人的时候没必要开吧？这样保守估计，一天的用电量是不会超过7小时的。如果以100平建筑面积计算（长江沿线地区）配备功率为6000瓦，也就是说满负荷运转每小时6度电，11小时66度电，7小时为42度电。你所在地区电价（还有峰谷优惠）多少很方便就能计算出来。我们曾经计算过比水暖耗、燃气至少要节省四分之一以上的费用。

3.硅晶电热地暖电源系统安全

硅晶地暖的发热板采用的材料是高分子绝缘材料，接点部分都进行过防水处理，即便是在水里也能应用。

4.会出现散热不均的现象吗？

这是不会发生的，取暖效果的好坏取决于在我们进行安装时的计算。假如功率配备准确，是不会出现散热不均的现象的。况且硅晶电热地暖系统是通过面状辐射发热均匀，在膝盖以上部分能明显感觉到温度得一致性。

5.使用寿命如何？

各类地暖产品有一个共同而致命的弱点，那就是老化速度过快！且运行维护和折旧费用过高。硅晶电热地暖系统可以确保与您的建筑物同寿而不必维护，因此维护费用为零。

中华人民共和国知识产权局 专利检索

硅晶地暖（专利名称：一种硅晶地暖发热板 专利申请号： 200820152912.0）为国内自主研发的高科技专利产品。 经过大量的测试运用、环境实验，产品完全成熟，并适用大规模住宅楼工程使用。

申 请 号：　200820152912.0　申 请 日： 　2008.09.10

名 称： 　一种硅晶地暖发热板

公 开 (公告) 号：　CN201298927 　公开(公告)日： 　2009.08.26

主 分 类 号： 　H05B3/22(2006.01)I　分案原申请号：　

分 类 号： 　H05B3/22(2006.01)I;H05B3/14(2006.01)I

颁 证 日： 　
　优 先 权：　

申请(专利权)人： 　上海正攀实业有限公司

地 址：　200000上海市松江新城三新北路900弄1348号

发 明 (设计)人：　王亚言 　国 际 申 请：　

国 际 公 布：　
　进入国家日期：　

专利 代理 机构： 　 　代 理 人：