Gummel数可区分为基区的Gummel数和发射区的Gummel数，可以通过对晶体管直流特性的测量来求得。

基区的Gummel数就是单位面积中性基区的掺杂总量。对于基区掺杂不均匀的漂移晶体管，基区的Gummel数就等于基区掺杂浓度对整个基区宽度的积分；特别，对于均匀基区的扩散晶体管，Gummel数就等于掺杂浓度与基区宽度的乘积。

发射区的Gummel数就等于发射区掺杂浓度对整个发射区厚度的积分。

借助于Gummel数的概念，即可容易把关于均匀掺杂晶体管的关系式，直接推广到不均匀基区和不均匀发射区的晶体管中去，使得对不均匀掺杂晶体管问题的分析大大简化。而不均匀基区和不均匀发射区的晶体管具有优良的放大和高频、高速性能，是现在应用最为广泛的一种器件（Si平面晶体管就是这种器件）。