半导体中，无论是直接复合、间接复合，还是激子复合，都会有动量和能量的吸收或释放，根据跃迁释放或者吸收能量和动量的形式，分为辐射跃迁、声子跃迁和俄歇跃迁。俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。

俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。

这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合（Shockley-Hall-Read复合）。Auger复合是电子与空穴直接复合、而同时将能量交给另一个自由载流子的过程。Auger复合牵涉到3个粒子的相互作用问题。通常Si中载流子的寿命决定于通过复合中心的间接复合过程（因为SHR寿命最短）。

对于N型半导体，少数载流子（空穴）的Auger复合寿命与多数载流子（电子）浓度的平方成反比，即τA ∝ 1/ n。在重掺杂时，电子浓度n很大，则τA的数值很小，即俄歇复合将使得少数载流子的寿命大大降低。

实验表明，在Si发射区掺杂浓度>10cm 时，Auger复合寿命将小于Shockley-Hall-Read复合寿命（SHR复合寿命的典型值为10s ）。则这时发射区少子的寿命即由τA很小的Auger过程决定；从而使得发射区的少子扩散长度减短，导致注射效率降低。