简介

教育经历

工作经历

研究方向

项目资助

近年发表的部分文章著作

简介

单崇新,男，1977年生，河南长垣人。

中科院“百人计划”入选者，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员,博士，博士生导师，II-VI族宽禁带光电子材料与器件方面学科带头人。主要研究方向为ZnO基半导体材料及光电器件，例如半导体光电探测器、发光二极管、激光器件、太阳能电池等。

到目前为止发表SCI学术论文100余篇， 其中影响因子大于3.0的论文30余篇。

教育经历

1999年 本科毕业于武汉大学

2004年 博士毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

工作经历

2004年3月到2006年1月 香港中文大学 博士后

2006年1月到2008年3月 英国诺丁汉大学 博士后

2008年4月至今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中科院“百人计划”，研究员，博士生导师

研究方向

ZnO基光电子材料与器件

光电探测材料与器件

表面等离子体在发光器件上的应用

原子层沉积设备与材料制备

项目资助

目前主持中国科学院百人计划项目1项，国家自然科学基金项目2项，中国科学院装备研制项目1项；以负责人身份入选吉林省科技创新团队，参与973项目1项。

近年发表的部分文章著作

（原文）

1. P. N. Ni, C. X. Shan*, S. P. Wang, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, L. Liu, D. Z. Shen, Enhanced Responsivity of Highly Spectrum-Selective Ultraviolet Photodetectors, J. Phys. Chem. C 116, 1350 (2012).

2. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, K. L. Choy, Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode, J. Mater. Chem. 21 (9), 2848 - 2851 (2011).

3. F. Sun, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, D. Fan, A reproducible route to p-ZnO films and their application in light-emitting devices, Opt. Lett. 36 (4), 499 - 501 (2011).

4. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, B. Yao, D. Z .Shen, Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multiplication process, Appl. Phys. Lett. 99, 101110 (2011).

5. H. Zhu, C. X. Shan*, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, X. H. Hou, K. L. Choy, Low-threshold electrically pumped random lasers, Adv. Mater. 22, 1877 (2010).

6. H. Zhu, C. X. Shan*, L. K. Wang, Y. Yang, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, A route to improved extraction efficiency of light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 96, 041110 (2010).

7. J. S. Liu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, C. L. Yang, D. Z .Shen, X. W. Fan, High responsivity ultraviolet photodetector realized via a carrier-trapping process, Appl. Phys. Lett. 97, 251102 (2010).

8. H. Zhu, C. X. Shan*, L. K. Wang, J. Zheng, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, Metal-oxide-semiconductor structured MgZnO ultraviolet photodetector with high internal gain, J. Phys. Chem. C 114, 7169 – 7172 (2010).

9. H. Zhu, C. X. Shan*, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Y. M. Lu, Z. K. Tang, Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide, Adv. Mater. 21, 1613 (2009).

10. L. K. Wang, Z. G. Ju, J. Y. Zhang*, J. Zheng, D. Z. Shen, B. Yao, D. X. Zhao, Z. Z. Zhang, B. H. Li, C. X. Shan*, Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices, Appl. Phys. Lett. 95, 131113 (2009).

11. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Ultraviolet Electroluminescence from MgZnO-Based Heterojunction Light-Emitting Diodes, J. Phys. Chem. C 113, 2980 - 2982 (2009).

12. Z. G. Ju, C. X. Shan, C. L. Yang, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Phase stability of cubic Mg0.55Zn0.45O thin film studied by continuous thermal annealing method, Appl. Phys. Lett. 94, 101902 (2009).

13. D. Y. Jiang, C. X. Shan, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, B. Yao, D. X. Zhao, Z. Z. Zhang, X. W. Fan, D. Z. Shen, Schottky Barrier Photodetectors Based on Mg0.40Zn0.60O Thin Films, Crystal Growth Des. 9, 454 (2009).

14. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Ultraviolet Electroluminescence from MgZnO-Based Heterojunction Light-Emitting Diodes, J. Phys. Chem. C 113, 2980 (2009).

15. H. Zhu, C. X. Shan*, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction, J. Phys. Chem. C 112, 20546 – 20548 (2008).

16. C. X. Shan, Z. Liu, S. K. Hark, Temperature dependent photoluminescence study on phosphorus doped ZnO nanowires, Appl. Phys. Lett. 92, 073103 (2008).