人物介绍(个人简况 学习经历)

研究领域与成就(主学科研究方向 学术成就 研究项目与经费)

人物介绍

个人简况

袁国亮，男，1975年8月出生，南京理工大学材料科学与工程学院教授、博士、博士生导师。

学习经历

毕业于南京大学材料学专业，获得博士学位。

研究领域与成就

主学科研究方向

1、铁电、压电、磁电、宽禁带半导体等电学多功能材料，比如BiFeO3等；2、光电功能材料(比如VO2)。

学术成就

2010年开始任南京理工大学材料科学与工程学院教授，主持国家自然科学基金面上项目一项（对铁电极化和半导体性能相互耦合的材料-铁电半导体的研究），应邀参加2010年中国物理年会电介质物理分会并做邀请报告，应邀参加中国2011年材料年会（成立20周年庆典）多铁性材料分会并做分会主持人之一。 长期研究铁电、多铁、压电钙钛矿氧化物的陶瓷和薄膜，在钙钛矿氧化物材料的制备、表征和分析等方面积累了丰富的经验。当前SCI文章43篇，被引用总计600余次，其中他引450余次，是美国应用物理学会Applied Physics Letter (APL)、Journal of Applied Physics (JAP)等杂志的审稿人。

第一，率先报道Bi1-xAxFeO3 (A=Nd、Sm、La)陶瓷在室温以上同时具有铁电、 压电、弱铁磁及磁电耦合效应。我们发展了一种专门针对这类材料的陶瓷制备方法，成功制备具有良好绝缘性和饱和铁电回线的Bi1-xAxFeO3陶瓷(A=La、Nd、Sm)陶瓷，在世界上最先报道多铁性Bi1-xAxFeO3(A=Nd、Sm)陶瓷材料的铁电-顺电相变、高温压电、磁电耦合等性能。我们的工作受到国际同行的关注，10余篇APL、JAP等文章在2007年以来被引用/他引超过450/400次。

第二，申请人澄清了铁电薄膜中氧空位的产生、扩散和聚集机制，以及其对铁电疲劳、半导体性能的贡献。发现缺陷和电荷的产生和聚集是铁电薄膜铁电疲劳的主要原因。申请人通过AFM、XRD、正电子湮灭、光谱、电学性质、磁学性质等，综合研究BiFeO3薄膜中氧空位的产生、迁徙和聚集，发现SrTiO3单晶基片和生长温度、气压一样，可以调控氧空位的浓度和分布。

研究项目与经费

1. 对铁电极化和半导体性能相互耦合的材料-铁电半导体的研究 自然科学基金面上项目（51072081） 第一 2011.01-2013.12

2. 宽带隙半导体材料制备及光电性能研究 南京理工大学自主研究重点课题(ZDJH07) 第一 2010.01-2012.12

3. BiFeO3铁电磁体绝缘材料和BiFeO3-δ铁电半导体材料的研究和应用 南京理工大学卓越计划 第一 2010.01-2013.12

4. BiFeO3系列材料中氧空位的调制和应用 南京理工大学校基金AB96382 第一 2010.12-2011.12

5. BiFeO3系列材料中氧空位的调制和应用 南京大学固体微结构国家实验室开放课题 第一 2010.04-2011.12

6. 可见光响应铋基化合物半导体纳米材料的控制合成和性能研究 国家自然科学基金青年基金项目（21001064） 第二 2011.01-2013.12