悬浮区域（熔化）工艺（Float zone process ）：

这是一种通过移动熔化的悬浮区域来制备和提纯单晶的技术。这种技术对于高纯度半导体材料的制备具有重大的作用。

由于熔化的区域是悬浮在空间的，故该技术与从溶体中垂直或水平生长单晶的技术（即Czochralski方法或Bridgman方法）相比较，具有沾污杂质较少的优点。单晶的提纯也是利用杂质在液相和在固相中的分凝系数的不同来实现的；通过把悬浮熔区往一个方向多次移动，即可以把杂质集中到晶锭的两头。