词条 | 显微光蚀刻技术 |
释义 | 支持物表面经化学处理后,表面活性基团连接有光敏保护基团(以X表示)受到保护;合成时,选择合适的光刻掩模(mask)如M1保护不需聚合的部位;需要聚合部位因没有掩模而在激光点光源的照射下,除去该部位的光敏保护基团,活性基团(OH)游离出来;加入单核苷酸(如dTMP)的亚磷酰胺活化端与该活性基团发生化学偶联反应。该单核苷酸的另一端用光敏保护基团X保护,以便下一位核苷酸的延伸;(更换掩模M2,激光点光源照射下一个位点;在支持物上去保护、偶联上dCMP等;重复上述过程直至合成所需要的寡核苷酸探针。 |
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