| 词条 | CMOS射频集成电路设计 |
| 释义 | 图书基本信息书名：CMOS射频集成电路设计（第二版） 作者：（美）李（Lee.T.H.） 译者：余志平等 出版社：电子工业出版社 版次：2006-11-1 ISBN：71210328 价格：59.00元 图书简介本书是《CMOS射频集成电路设计》的第二版，这本被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题，因此是高年级本科生和研究生学习有关射频电子学方面课程的理想教科书，对于从事射频集成电路设计或其他领域实际工作的工程技术人员也是一本非常有益的参考书。 Thomas H.Lee于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位，现为斯坦福大学电气工程系副教授。此外，他还是IEEE固态电路协会和IEEE微波理论与技术协会的杰出讲演者。他在国际会议上赢得过四次“最佳论文”奖，并赢得Packard基金会的研究基金。 图书目录第1章 无线电发展历史的间断回顾 第2章 无线通信原理概述 第3章 无源PLC网络 第4章 无源集成电路元件的特性 第5章 MOS器件物理回顾 第6章 分布参数系统 第7章 中密斯圆图和S参数 第8章 频带宽度估算方法 第9章 高频放大器设计 第10章 基准电压和偏置电路 第11章 噪声 第12章 低噪声放大器设计 第13章 混频器 第14章 反馈系统 第15章 RF功率放大器 第16章 锁相环 第17章 振荡器与频率合成器 第18章 相位噪声 第19章 系统结构 第20章 射频电路历史回顾 |
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