温殿忠，男，1949年4月23日生，河北抚宁县人。1975年7月毕业于黑龙江大学物理系半导体专业并留校任教，1987年在职学完微电子学与固体电子学的硕士研究生课程， 1992年9月被正式注册为加拿大阿尔伯塔大学电气工程系特别研究生。1998年被聘为中国电子学会敏感技术分会委员，1999年被选为中国电子学会敏感技术分会力敏技术专业委员会副主任。2001年被选为东北MEMS研发联合体执委兼黑龙江委员会主任， 2003年当选为中国仪器仪表学会传感器学会常务理事、《传感技术学报》、《传感器与微系统》和《黑龙江大学自然科学学报》编委。是微电子学与固体电子学省重点学科的学科带头人。1992年获国务院颁发的政府特殊津贴，1995年被评为黑龙江省有突出贡献的优秀中青年专家。在国内外学术期刊上发表学术论文46篇，其中被SCI、Ei收录12篇；独立完成的专著《力学量敏感元器件及其应用》和《磁敏感元器件与磁传感器》先后由黑龙江科技出版社出版。取得应用科研成果12项，其中与黄得星教授合作完成的科研成果2DCM硅磁敏二极管获1978年全国科学大会奖，本人独立完成的黑龙江省重点攻关项目硅各向异性腐蚀技术与设备获1989年黑龙江省教委科技进步一等奖、获1990年黑龙江省科技进步三等奖，1992年获国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书。列车偏载探测项目获1998年铁道部科技进步三等奖。获国家发明专利2项,申请国际专利1项。现任黑龙江大学黑龙江大学敏感技术研究所所长，教授、博士生导师。

学 科：微电子学与固体电子学

研究方向：传感器MEMS；纳米元器件

代表性著作：

1. 温殿忠.《力学量敏感元器件及其应用》，黑龙江科技出版社出版。

2. 温殿忠.《磁敏感元器件与磁传感器》，黑龙江科技出版社出版。

3. 温殿忠 等.《传感器原理及其应用》，黑龙江大学出版社。

在重要学术刊物上发表的代表性论文：

1. Dianzhong Wen, SensitivityAnalysisofJunctionFieldEffect-PressureHalltron，Review of Scientific Instrument Vol.66,No.1.251-255 .1995.1[SCI]收录.

2. Dianzhong Wen, An IC Chip of Magneto-Sensitivity Silicon Transistors Sensor, Solid-State and Integrated Circuit Technology，ICSICT,2001.10[EI]收录.

3. Dianzhong Wen, Negative-ResistanceCharacteristics Studies in Silicon Double Injection p+πn+ Magnetic-Device, International Society for OpticalEngineering,Vol.4414，301-305，2001.10. [EI]收录.

4. Dianzhong Wen, Theoretical Analysis of The Pressure-Magneto-Electric Effect of JFET, Journal of Electronics,Vol.7,No.2,April 1990. [EI]收录.

5. Dianzhong Wen, Double Injection Type Magneto- transistor Formed on a SOI Substrate，Chinese Journal Electron Devices,No.3,2006. [EI]收录.

6. Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.

7. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Rare Metal Materials and Engineering,2006. [EI]收录.

8. Dianzhong Wen, Research on the Oscillator Characteristics of Bridge Protein in Cell Membrane, Review of Advancements in Micro and Nano Technologies,2006. [EI]收录.

9. Dianzhong Wen, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, Polyimide Humidity Integrated Sensor Fabricated Using the MEMS Process, 稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.

10.Dianzhong Wen, Negative-Resistance Characteristics Analysis of Poly-Silicon Resistors Formed on the Flow Sensor，稀有金属材料与工程(RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING),2006.12. [SCI]收录.

11.Dianzhong Wen, DESIGN A SYSTEM OF Ar-Ion LASER ENHANCED ANISOTROPIC ETCHING，MicroNanoChina07，January 10, 2007, [SCI]收录.

12.Dianzhong Wen, A new measurement circuit of magneto- transistor formed on a SOI Substrate，电子器件，Vol.29, Number3,609,2006.[EI] 收录.

在研项目：

1. 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器. 黑龙江省科技计划项目.2009.12-2011.12.

完成的主要课题：(完成两项国家级和十余项省部级科研课题，完成有代表性课题如下)

1. 采用MEMS技术研究硅磁敏三极管模型与制造技术研究.国家自然科学基金项目.

2. 纳米硅/单晶硅异质结的SOI MAG-MOSFET压磁电效应研究.国家自然科学基金项目.

3. 具有热净化功能双模块集成湿度传感器技术研究(2006AA04Z319). 国家“863”计划项目.

4. 微型矢量标量复合水声传感器技术研究(2007AA04Z). 国家“863”计划项目. 副组长.

5. 电力电子器件在新型电源设备中的应用.黑龙江省教育厅振兴东北老工业基地重大项目.

6. 煤矿安全生产信息化关键设备与产品及标准制定.信息产业部电子信息产业发展基金重点项目.（第2承担单位）.

7. 硅各向异性腐蚀技术与设备.获国家科委颁发的国家级科技成果完成者证书.

8. 2DCM硅磁敏二极管.获1978年全国科学大会奖.

9. 列车车辆运行安全监测系统—偏载探测.铁道部项目.

10. C型硅杯各向异性腐蚀技术.黑龙江省经委重点项目.

11. M/Tao/Si/Ti/Pt多层膜结构应变物理特性研究.黑龙江省自然科学基金项目.

12. 神经网络智能化脉诊仪的研究.黑龙江省“九五”科技攻关项目.

13. 2DCM/波纹管高温高压液体流速检测仪研究.黑龙江省教委科研计划指导项目.

14. 智能化油井注入液体流速检测仪.哈尔滨市计划项目.

15. 新型纳米结构忆阻器制造技术研究.黑龙江省2009年研究生创新科研项目.

获 奖：

1. 2DCM硅磁敏二极管 获1978年全国科学大会奖.

2. 硅各向异性腐蚀技术与设备 获1990年黑龙江省科技进步三等奖.

3. 列车车辆运行安全监测系统—偏载探测 获1998年铁道部科技进步三等奖.

4. <Sensitivity analysis of junction field effect-pressure Halltron>获黑龙江省二等奖.

发明专利：

1. 温殿忠. 纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法.已授权 2011年.

2. 温殿忠. 蛋白质结构快速开关忆阻器阵列的制作方法.已授权 2010年.

3. 温殿忠 等. 申请国际专利1项，申请国际专利申请号：PCT/CN2010/074806.