| 词条 | 微米/纳米加工技术国家级重点实验室(北京大学) |
| 释义 | 概况简介北京大学微米纳米加工技术国家重点实验室及其所依托的微电子学研究院的前身是1956年由著名物理学家黄昆院士领导在北大物理系创建的我国第一个半导体专门化，七十年代研制出我国第一块硅栅N沟道1K MOS DRAM，是我国微电子科学技术史上的重要里程碑之一，获全国科学大会奖。近年来，在微电子学家王阳元院士的领导下，该学科点有了重大的发展，目前已经成为我国微电子领域高层次人才培养和科学研究的的重要基地之一。 研究力量实验室有教授8人，教授级高工2人，副教授3人，研究员1人。 基础条件目前该实验室包括微电子净化工艺实验室面积为900m，拥有各种先进的工艺加工及检测设备130余台套，可加工CMOS集成电路、超高速硅双极集成电路、微电子机械系统、CMOS/SOI集成电路和化合物半导体器件等；系统芯片(SOC)软硬件协同设计实验室、多目标芯片设计实验室和计算机辅助工程(CAE)实验室的面积1000m，拥有进行逻辑综合、电路模拟、电路设计、版图设计以及器件和工艺模拟等方面研究的最新软件。目前实验室有价值200万元以上的设备超过15台，是国内配套最全、最开放的微电子和微电子机械工艺实验研究环境。 主要设备双面对准光刻设备（Suss MA6）；硅/硅和硅/玻璃键合对准设备（Suss BA6）；硅/硅和硅/玻璃键合设备（Suss SB6 VAC Substrate Bonder）；专用硅表面亲水化清洗设备（CL6 Cleaner）；高深宽比的硅深槽刻蚀设备（STS Multiplex）；表面牺牲层工艺用LPCVD设备（LPCVD ASM LB35）；4英寸IC工艺设备。 研究方向北京大学微电子学研究院的研究方向主要有三个，即ULSI新器件及集成技术、系统集成芯片(SOC)设计及其设计方法学、微电子机械系统(MEMS)技术。这三个研究方向均是当前国际微电子学学科发展的重点领域。 ULSI器件及其集成技术研究在ULSI器件及其集成技术研究方面，作为首席科学家单位主持了“系统芯片中新器件新工艺的基础研究”的973课题，另外还承担了30余项国家重大科技攻关、863、国家自然科学基金、国际合作等科研项目，已经形成了自己的特色。研究的重点领域包括ULSI器件模型模拟、亚100纳米ULSI新结构器件、微小尺度MOS器件可靠性等。 系统集成芯片(SOC)设计及其设计方法学研究在系统集成芯片(SOC)设计及其设计方法学研究方面，具有软件、硬件和体系结构紧密结合，器件物理和电路理论紧密结合的学术优势，并且已经在软硬件协同设计、IP设计方面形成了自己的特色。主要的研究领域包括：面向微处理器的IP设计技术、多目标圆片服务体系、系列专用集成电路设计及其开发等。 微电子机械系统(MEMS)技术研在微电子机械系统(MEMS)技术研究方面，同时开展了MEMS工艺、器件以及MEMS EDA等方面的研究，具体的包括：体硅/表面牺牲层工艺等多种MEMS制造技术和成套工艺、微加速度计/微陀螺/可集成的光开关阵列/RF MEMS器件/生物MEMS器件等MEMS器件、MEMS EDA技术等。 |
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