微结构因子 R 微晶硅薄膜中 SiHx键位于2000—2100cm-1的伸展模依赖于氢原子的键合环境，如果氢原子位于致密的网格中，SiHx键的伸展模将产生位于~2000cm-1的吸收峰，如果氢原子位于空洞的内表面或者晶界，SiHx键的伸展模将导致位于~2100cm-1的吸收峰,因此，2100cm-1峰的吸收强度占伸展模总吸收强度的比例的大小可以看成衡量薄膜是否致密的参数，这个参数通常被称为微结构因子R，人们在计算微结构因子时，通常将伸展模吸收带分解成在2000cm-1与2100cm-1附近的两个高斯峰，假若这两个高斯峰的积分强度分别I2000与I2100，微结构因子R。

可以表示为

R=I2100/(I2000+I2100)

R越小说明膜的致密性更好。