王卫乡1964年6月生，浙江兰溪人，博士，华南师范大学员于电子学研究所副研究员。主要学术成果：作为主要成员完成国家“七五”重大科技攻关项目”激光制备高纯超细氮化硅粉末”获1991年中科院科技进步二等奖：承担完成了多项国家自然科学基金及省自然科学基金课题。在国内外重要学术刊物发表论文20多篇发现了纳米氮化硅具有强压电性和强介电性，纳米硅粒子光学吸收特性发生显著变化的临界尺寸为30nm，在激光合成硅基纳米材料方面是国内较早开展研究的人员之一。