隧穿渡越时间二极管，TUNNETT diode（Tunnel Transit Time Diode）：

这是在IMPATT二极管基础上发展起来的一种微波有源器件，它与IMPATT二极管的不同点即在于载流子是通过量子隧道效应注入的，而不是雪崩倍增产生的。

工作原理：见图示，对于IMPATT二极管，当加有较大的反向偏压时，能带即倾斜，使得电子势垒升高、并减薄；如果是mm波器件，则漂移区很薄，则p区满带中的电子，可以通过隧道效应注入到漂移区的导带。从而在注入相位延迟和渡越时间延迟的共同作用下，即可产生微波振荡。

TUNNETT二极管由于隧道注入过程所造成的相位延迟比较小，则呈现出的交流负阻也比较小，从而输出功率和转换效率都比较低；但是它不存在有雪崩倍增现象，故噪声很抵。