欠压锁定就是让输入电压低于某一个值的时候，电源芯片不工作，出于保护状态。

在DC-DC电源管理芯片中，电压的稳定尤为重要，因此需要在芯片内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路，为提高电路的可靠性和稳定性，欠压锁定电路同样十分重要。

传统的欠压锁定电路要求简单、实用，但忽略了欠压锁定电路的功耗，使系统在正常工作时，仍然有较大的静态功耗，这样就降低了电源的效率，并且无效的功耗增加了芯片散热系统的负担，影响系统的稳定性。

基于传统的欠压锁定电路，本文提出一种CMOS工艺下的低压低静态功耗欠压锁定电路，并通过HSPICE仿真。此电路可以在1.5V～6V的电源电压范围下工作，阈值可调，翻转速度很快。电源电压正常工作时，此电路的静态功耗可低于2μW。此电路结构简单，用标准CMOS工艺实现容易，可用于由电池供电的电源管理芯片或便携设备中作欠压保护电路。

1 欠压锁定电路工作原理

欠压锁定电路的基本原理图如图1所示。电路包括电压采样电路、比较器、输出缓冲器和反馈回路。Vcc为待检测的电源电压，电阻R2、R3、R4组成Vcc的分压采样电路，实现对Vcc的采样；NMOS开关管MNl和电阻R1构成比较器，对采样电压和MNl的VTH进行比较，并输出比较结果；反向器INV1和INV2组成缓冲器电路，可对比较器的输出波形进行整形和缓冲，提高电路的负载能力；PMOS开关管MP1构成正反馈回路，可以实现电路的迟滞功能，防止电路在Vcc的阈值附近振荡，增加系统的稳定性。调整R2、R3、R4的大小可实现不同阈值和迟滞量的Vcc欠压保护。