光刻是微细加工的一项关键工艺。它是利用涂布在SiO2 表面的光刻胶曝光后溶解度发生变化, 用合适的溶剂作显影液溶除可溶部分, 然后用腐蚀液将裸露出来的SiO 2 腐蚀掉, 从而得到所需要的光刻图形。

无显影气相光刻是一项新发现的光刻工艺。它在曝光后不经显影直接送入反应器内用气相氟化氢进行腐蚀而得到正性光刻图形。与常规光刻工艺相比, 该工艺由于省去了显影环节, 具有很多优点。如设备工艺的简单化、能得到高分辨率高纵宽比的光刻图形等等。目前, 对二氧化硅的无显影气相光刻已经可以应用于实际生产中。