这是一种测量p-n结深度的技术。见图示,即是首先把制作好p-n结的Si片粘贴在具有小斜角(θ)的金属块上,进行研磨,让p-n结截面显露出来,然后用化学试剂染色(p区有较快的化学反应,将呈现出较暗的颜色),并在显微镜下测量出垂直看下去的长度d(不是斜面上的长度),从而求得p-n结的深度x;在θ<1情况下,可有x≈θd 。
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