磷锑化镓铟;indium gallium antimonide phosphide

分子式：InxGa1-xSbyP1-y， 0≤x≤1 0≤y≤1

性质：周期表Ⅲ、V族元素化物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作2μm波长附近的红外发光器件和激光器。