单晶硅是一种重要的半导体材料， 它是由多晶硅拉制而成的，过去多用来做晶体管、整流器及太阳能电池等。

随着电子技术的进步， 近些年来， 国内外已研制成功压阻应变元件——扩散型单晶硅，并获得应用。

扩散型单晶硅是在单晶硅中， 用扩散工艺掺入一定量的杂质，以改变其电学性质和电阻率数值。改变单晶硅导电类型的杂质，一类是磷、砷、锑， 掺杂后使单晶硅呈现电子型导电(N)型， 另一类是硼、铝、镓，搀杂后使单晶硅呈现空穴型导电(P)型。掺入杂质的数量多少与单晶硅电阻率的高低有直接关系。根据下式可以求出所需要的电阻率：

扩散型单晶硅是压阻式的应变元件，也可以说是一种固体硅电阻器， 其电阻变化与所承受的机械应力成正比， 将它与悬臂梁机械地联在一起并形成惠斯登电桥，可产生同振动运动成正比的电信号。这一性能的取得给科学技术某些领域创造了新的应用条件。

日前已应用于工业和航空航天的压力测量， 冲击波和爆炸试验，以及液压和气压测量系统等领域。

在通信线路的气压遥测系统中， 利用它作压力传感器中的气——电转换弹性敏感元件，以取代过去的波纹管、半导体应变片等敏感元件。它具有精度高、线性好和体积小等优点，并且有宽广的动态范围，足目前较为理想的气——电转换元件。

扩散型单晶硅一般由N型单品硅膜片及P型单晶硅应变敏感层组成。压力传盛器用它来完成气——电转换是在一块圆形膜片上，利用集成电路的工艺方法设置一个阻值相等曲电阻构成平衡电桥。膜片的四周用一圆环（硅杯)固定。膜片两边有两个压力腔， 一个是和电缆相连接的高压腔： 另一个是和大气相通的低压腔(其结构见附图)。当膜片两边存在压力差时， 膜片上各点存在应力， 4个电阻在应力作用下阻值发生变化，电桥便失击平衡输出相应的电压，此电压和膜片两边的压力差成正比这样， 膜片所受压力差的大小 通过不平衡电桥就直接反殃出相应的输出电压，减免了过去压力传感器中气——电转换所用的连动机构。采用扩散硅元件，不但缩小了压力传感器的体积，而且传感性能也稳定多了。

目前有的国家生产的扩散硅膜压力传感器， 采用扩散法在硅膜中制成四个工作桥臂的惠斯登电桥，使用各向异性的腐蚀技术使应力集中到测量区域，而别处仍然保持低应力水平。在相同的振动频率下，选种压力传感器具右更高的灵敏度和极好的线性度，甚至在三倍于全量程的压力下，性能仍保持不变。