场效应管的类型包括结型和绝缘栅型。

在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区)，就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。

绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。