| 词条 | 抗辐射集成电路概论 |
| 释义 | 图书信息书 名: 抗辐射集成电路概论作 者：韩郑生 出版社： 清华大学出版社 出版时间： 2011年4月1日 ISBN: 9787302245476 开本： 16开 定价: 30.00元 内容简介《抗辐射集成电路概论》论述抗辐射集成电路方面的知识。《抗辐射集成电路概论》共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射mos集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、fpga加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。 《抗辐射集成电路概论》可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。 作者简介韩郑生，长期从事半导体工艺技术、集成电路设计研究工作。主要研究方向为可靠性SOI CMOS集成电路技术。研究内容包括SOI CMOS工艺技术开发、静态随机存储器（SRAM）电路设计、集成电路抗辐射性能研究。 图书目录第1章 绪论 第2章 辐射环境 第3章 辐射效应 第4章 抗辐射双极集成电路设计 第5章 抗辐射mos集成电路设计 第6章 微处理器加固技术 第7章 存储器加固技术 第8章 fpga加固技术 第9章 模型参数 第10章 集成电路抗辐射性能评估 词汇表 参考文献 |
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