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词条 晶圆减薄
释义

集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求,其次是竞争的要求。在集成电路制造中,

半导体硅材料由于其资源丰富,制造成本低,工艺性好,是集成电路重要的基体材料。

从集成电路断面结构来看,大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的

要求,对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工

艺流程中,不可采用较薄的晶片,只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电

路封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工

艺,对应装备就是晶片减薄机。

作用:

1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄,改善芯片散热效果。

2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。

常规工艺:

减薄/抛光到80-100um

粗糙度: 5-20nm

平整度: ±3um

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更新时间:2024/12/23 18:51:44