金浆料 (gold paste)

含金的贵金属浆料，为厚膜微电子工艺使用的-种导电材料。按功能相的组成可区分为：

(1)纯金。

(2)金和5%～lO%钯或铂的混合物。

(3)金钯(25%～30%)和金铂(18%～22%)浆料。金浆料通过丝网漏印、烧结得到导体。由粘结剂粘结到基体上。纯金导体的方阻小于6mΩ/口，含少量钯或铂的方阻小于10mΩ/口。

由粘结剂的结合机理可区分为：

(1)铅、钙、钡、锌的硼硅酸盐系的玻璃粘结。

(2)氧化铜、氧化镉系的化学反应粘结。烧结时与基体材料发生反应生成尖晶石族化合物，形成分子键。由于氧化物总量仅为功能相的1%，可得到导电性优良的金导体。

(3)结合上述两种功能的混合粘结。另有-类低温固化的金浆料，主要成分是金粉、填料、树脂和溶剂。作为导电胶用来粘结半导体芯片，分直接起导电作用的欧姆接触和非欧姆接触两类。

金浆料常用于半导体集成电路片硅、锗材料的共晶连接。含少量钯或铂的金浆料，冶金学活性下降，作为厚膜电阻器的端接材料。导体可用铅锡焊料焊接。金钯浆料和金铂浆料应用于高可靠的电子线路中，作为电阻器的端接材料和厚膜电容器的下电极，可以忽略烧结时相互间的扩散和反应。金铂浆料特别推荐用于分立元件用铅锡焊料焊接而又经常更换元件的部位。由于钯或铂的含量较高，烧结后导体的方阻值也较高，分别约为80和90mΩ/口。

大规模集成电路对封装技术有很高的要求，不断发展着大尺寸、高密度布线和多层化的基板。20世纪80年代，发展了金浆料-介质浆料多层印刷烧结体系，基板尺寸100mm×100mm，金导体的线宽和间距为125μm。90年代发展了尺寸达225mm×225mm的玻璃陶瓷多层基板，有78层，其中13层为金导体，已安装100块超大规模集成电路芯片，应用于巨型计算机。金浆料由于它优良的导电性和长期稳定性，在集成电路的发展中始终有着重要的地位。