焦易斯-帝克耸近似（Joyce-Dixon approximation）：这是半导体中载流子浓度与Fermi能级之间的一种近似关系。

对于掺杂浓度很低的非简并半导体，可采用Boltzmann分布函数，求得载流子浓度n和p与Fermi能级Ef之间有简单的指数函数关系：

n = Nc exp[－(Ec－Ef)/kT， p = Nv exp[－(Ef－Ev)/kT。

但是，对于掺杂浓度并非很低、但又不是简并的半导体，则Boltzmann近似并非很好，这时载流子浓度与Fermi能级之间的一个有用的关系就是所谓焦易斯-帝克耸近似的关系式：Ef = Ec + kT[ln(n/Nc)+n/(81/2 Nc)] = Ev + kT[ln(p/Nv)+p/(81/2 Nv)]。