研究室简介：集成电路先导工艺研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺技术、MEMS器件与集成技术研究、新原理的微细加工技术和设备研发，拥有一条完整的CMOS/MEMS工艺线和雄厚的工艺研发力量，是我国集成电路前沿研究领域的中坚力量，在CMOS器件成套工艺，MEMS制造技术和器件应用等方面做出了多项代表国家集成电路工艺研究水平的成果。

研发中心现有一支结构合理，老、中、青三代相结合、朝气蓬勃的科研团队。实验室有固定在编人员80余人，包括研究员15人，副研究员及高级工程师10人，流动人员及在学硕士、博士研究生40余人，现任实验室主任为陈大鹏研究员。

研发中心拥有一个净化面积达300平米的4英寸Mini CMOS工艺研发实验室和一个净化面积2200平米的8英寸CMOS先导工艺研发平台，具备国内一流的CMOS/MEMS器件加工及工艺整合环境，是一个功能完善的从事纳米尺度新型CMOS/MEMS器件与工艺研究的开放研发基地。

研发中心现有两个主要研究方向，即CMOS先导工艺技术研究，MEMS器件与集成技术研究。

该中心的目标是发展成为一个既能开展亚50纳米以下节点的CMOS工艺模块研究，也能满足MEMS工艺研究的多目标科研平台，并在此基础上，成为一个基于专业化技术协作，并能提供成熟的IC工艺模块和对外服务功能的MEMS制作工艺及IC集成技术平台，促使CMOS/MEMS技术走向市场化和实用化。