词条 | 胡作启 |
释义 | 一、教育背景 1985年7月,华中工学院(武汉)固体电子学系磁性物理及器件专业毕业,获工学学士学位; 1990年6月,华中理工大学(武汉)固体电子学系电子材料与元器件专业毕业,获工学硕士学位; 1996年6月,华中理工大学(武汉)固体电子学系电子材料与元器件专业毕业,获工学博士学位。 二、工作经历 1985年7月—1987年9月,中国磁记录设备公司(杭州),助理工程师; 1990年7月—1992年9月,湖北省电子总公司(武汉),工程师; 1996年6月—1999年7月,华中理工大学(武汉),讲师、副教授; 1999年7月—2000年7月,日本大学(Nihon University,日本)理工学部电子情报工学科,客座研究员; 2000年8月—2003年8月,新加坡制造工艺研究院(Singapore Institute of Manufacturing Technology,新加坡),研究员; 2003年9月—至今,华中科技大学(武汉),副教授、教授、博士生导师。 三、研究概况 在国内、外从事光存储技术、超硬保护薄膜以及电子材料的制备、表征等研究工作20余年。 曾获得10余项国家、部委“八五”、“九五”攻关、国防预先研究、武汉市青年科技晨光计划等研究计划的资助,并于1998年1月获国家教育委员会科技进步二等奖1项、1998年6月获国家科技进步三等奖1项。 曾承担日本国经济产业省(Ministry of Economy, Trade and Industry, METI)的纳米高密度光盘研究和新加坡国家科技研究局(Agency of Science Technology and Research, A-star)的超硬保护薄膜、TFT液晶显示器等方面的研究计划近10项。 2003年回国后,继续从事自旋电子学、微波材料与器件、信号处理技术和信息存储技术等方面的研究工作,并获湖北省自然科学基金、国防科工委、航天科技集团公司、总装备部等国家、部委研究计划资助,在研项目9项。 共发表论文40余篇,其中SCI、EI收录20余篇。 |
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