| 词条 | 高密度记忆存储元件 |
| 释义 | 记忆存储元件发展趋势是降低元件尺寸，提高存储密度。铁电材料，特别是铁电薄膜是设计制造记忆存储元件的首选材料。目前，国际上实用记忆存储元件的存储密度最高水平是4兆比特/英寸2。日本NEC公司已经把记忆元件的尺寸缩小到700纳米 700纳米，但是仍然不能满足下一世纪信息产业的要求。1998年，德国微结构物理研究所利用自组织生长技术在铁电薄膜中合成了纳米氧化铋有序平面阵列，记忆元件尺寸比NEC公司的产品小了50倍，达到了14纳米 14纳米，芯片的存储密度达到了10兆比特/英寸2。纳米结构有序平面阵列体系已经成为设计下一代超小型、高密度记忆元件的重要途径 |
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