作 者：本社 编著
出 版 社：
出版时间：2010-1-1
版 次：1页 数：2字 数：6000印刷时间：2010-1-1开 本：大16开纸 张：胶版纸印 次：1I S B N：GB/T10117-2009包 装：平装
本标准代替GB/T 10117—1988《高纯锑》。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位：峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人：王炎、蒋蓉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
——GB/T 10117—1988。