简介

辐射位移效应是指高能辐射导致半导体材料的原子离开原晶格位置转移到别的位置上的一种核辐射效应。高能粒子或高辐射造成的次级粒子，与物质晶格原子核发生弹性碰撞， 将其一部分能量传递给晶格原子。当传递能量大于晶原子的位移阈能时，晶格原子获得动能而离开原来位置， 转移到别的位置上而成为间隙原子，原来的晶格位置一个原子形成空位。