冯哲川教授于1968年在北京大学获半导体物理学专业的学士学位，1981年在北京大学获波导光学/固体物理专业的硕士学位，并于1987年在美国匹兹堡大学获实验凝聚态物理学博士学位。

冯哲川教授一直从事半导体生长、半导体工艺、器件制备及测试、半导体激光及波导光学的相关研究和教学工作.1988年至1992年冯教授在Emory大学任教，1992年至1994年在Singapore国立大学工作，1995年在美国乔治亚理工学院，1995年至1997年在EMCORE公司，1998年至2001年在Singapore材料研究及工程学院，2001年至2002年在Axcel光子公司，2002至2003年在美国乔治亚理工学院工作。在每个地方冯教授都获得了丰硕的成果。自2003年8月起，冯教授成为国立台湾大学光电所暨电机系的教授，现在的研究主要着重在MOCVD的生长和氮化物、ZnO和SiC宽带隙半导体的研究，其中也包括III-V材料和纳米材料/器件的研究。

冯教授已经出版了六本关于先进化合物半导体材料和微观结构、多孔硅、碳化硅和三价氮化物的外文书.发表文章300余篇,一半被SCI收录，被引用次数超过1200次。