Single event effect，又称单事件效应。高能带电粒子在器件的灵敏区内产生大量带电粒子的现象。它属于电离效应。当能量足够大的粒子射入集成电路时，由于电离效应（包括次级粒子的），产生数量极多的电离空穴一电子对，引起半导体器件的软错误，使逻辑器件和存储器产生单粒子翻转，CMOS器件产生单粒子闭锁，甚至出现单粒子永久损伤的现象。集成度的提高、特征尺寸降低、临界电荷和有效LED阈值下降等会使执单粒子扰动能力降低。器件的抗单粒子翻转能力明显与版图设计、工艺条件等因素有关。