电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶。最早使用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，现在主要使用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。也可以用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。