| 词条 | 半导体物理与器件 |
| 释义 | 图书信息书 名: 半导体物理与器件 作 者：裴素华 出版社： 机械工业出版社 出版时间： 2008年09月 ISBN: 9787111247319 开本： 16开 定价: 35.00 元 内容简介《半导体物理与器件》较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO（2）/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录，附录A是《半导体物理与器件》的主要符号表，附录B是常用物理常数表，附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。 《半导体物理与器件》可作为半导体、微电子技术、应用物理等电子信息类专业本科生的必修教材，也可作为电子学相关专业本科生、研究生选修课教材，以及供信息技术领域人员参考。《半导体物理与器件》配有免费的教学课件，欢迎选用《半导体物理与器件》作为教材的老师索取。 图书目录前言 第1章半导体材料的基本性质 第2章PN结机理与特性 第3章双极型晶体管 第4章MOS场效应晶体管 第5章半导体器件制备技术 第6章Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂 参考文献 …… |
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