| 词条 | 半导体可饱和吸收镜 |
| 释义 | 基本结构半导体可饱和吸收镜（SESAM）的基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起。底层一般为半导体反射镜，其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜，这样上下两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔，通过改变吸收体的厚度以及两 反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。 一般来说半导体的吸收有两个特征弛豫时间，带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间和带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间。带内热平衡弛豫时间很短，在100-200 fs左右，而带间跃迁弛豫时间则相对较长，从几ps到几百ps。带内热平衡弛豫时间基本上无法控制，而带间跃迁弛豫时间主要取决于半导体生长时衬底的温 度，生长时的温度越低，带间跃迁弛豫时间越短。在SESAM锁模过程中，响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组) 提供了锁模的自启动机制，而响应时间很短的带内热平衡可以有效压缩脉宽、维持锁模。 主要参数SESAM（半导体可饱和吸收镜）主要参数： 型号 中心 波长 高反射 带宽 吸收 率 调制 深度 驰阈 时间 损伤 阈值 能量饱 和密度 |
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