Wannier激子（Wannierexciton） 半导体吸收具有带隙能量的光子时产生的电子空穴对，在低温下没有足够的动能使它们分开，相互靠近的电子、空穴由于库仑互作用而形成的一个束缚态，很像氢原子中的质子与电子那样。Wannier激子的能量为

En=-13.6μ/ε2n2，n为量子数，ε为介电常数，μ是电子和空穴的折合有效质量，它的能级在导带底以下几个毫电子伏范围，因而在半导体的基本吸收边的长波侧可看到几个清晰的激子吸收峰，对应于处在量子数n较低的一些激子状态。