由飞利浦开发成功TrenchMOS工艺。其栅结构不是与裸片表面平行，现在是构建在沟道之中，垂直于表面，因此，占用的空间较少并且使电流的流动真正是垂直的(见图)。在RDS(on)相同的情况下，飞利浦的三极管把面积减少了50%；或者，在相同的电流处理能力下，把面积减少了35%。（请参考词条VDMOS）
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