基本信息
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：DC/直流
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
材料：IGBT绝缘栅比极
开启电压：3（V）
夹断电压：1（V）
低频跨导：3（μS）
极间电容：2（pF）
低频噪声系数：4（dB）
最大漏极电流：2（mA）
最大耗散功率：1（mW）
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