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词条 LOCOS
释义

即“硅的选择氧化”(Local Oxidation of Silicon)

- CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS(硅的选择氧化)工艺,它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化,在这种工艺中,除了形成有源晶体管的区域以外,在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层,称为隔离或场氧化层。

-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀(SiN边缘形成类似鸟嘴的结构,称为“鸟 嘴”bird break)和场注入的横向扩散,使LOCOS工艺受到很大的限制。

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更新时间:2024/12/23 13:25:14