LCD12232系列点阵型液晶显示模块

一、液晶驱动IC基本特性

1、具有低功耗、供应电压范围宽等特点。

2、具有16common和61segment输出，并可外接驱动IC扩展驱动。

3、具有2560位显示RAM（DD RAM），即80×8×4位

4、具有与68系列或80系列相适配的MPU接口功能，并有专用的指令集，可完成文本显示或

图形显示的功能设置

二、模块基本特性

视域尺寸：60.5×18.0mm（12232-1/-2）,54.8×18.3mm（12232-3）

显示类型：黄底黑字

LCD显示角度：6点钟直观

驱动方式：1/32 duty，1/6 bias

连接方式：导电胶条，铁框

补充说明：模块外观尺寸可根据用户的要求进行适度调整。

三、外形尺寸图

外观尺寸可根据用户的要求进行适度调整。

四、工作参数

1、逻辑工作电压（VDD-VSS）：2.4～6.0V

2、LCD驱动电压(Vdd-Vlcd)：3.0～13.5V

3、工作温度(Ta)：0～55℃（常温） / -20～70℃（宽温）

4、保存温度(Tstg)：-10～70℃

五、电气特性(测试条件 Ta=25,Vdd=5.0±0.25V)

1、输入高电平(Vih)：3.5Vmin

2、输入低电平(Vil)：0.55Vmax

3、输出高电平(Voh)：3.75Vmin

4、输出低电平(Vol)：1.0Vmax

5、工作电流：2.0mAmax

六、接口说明

PCB板引脚号 12232/1 12232/2 12232/3

1 VDD VSS

2 VSS VDD

3 Vo Vo

4 /RESET Ao

5 E1 E1

6 E2 E2

7 R/W CL(外振时钟)

8 Ao /RD

9 D0 /WR

10 D1 D0

11 D2 D1

12 D3 D2

13 D4 D3

14 D5 D4

15 D6 D5

同12232-1引脚

16 D7 D6

17 LED+ D7

18 LED- /RESET

19 LED+

20 LED-

同12232-1引脚

管脚说明:

VDD：逻辑电源正

GND(VSS)： 逻辑电源地

VO(VEE)：LCD驱动电源

RESET：复位端,对于68系列MPU:上升沿(L-H)复位，且复位后电平须保持为高电（H）；

对于80系列MPU:下降沿(H-L)复位，且复位后电平须保持为低电平（L）。

E1：读写使能。对于68系列MPU，连接使能信号引脚，高电平有效；

对于80系列MPU，连接/RD引脚，低电平有效。

E2：同E1引脚。

/RD：读允许，低电平有效。

/WR：写允许，低电平有效。

R/W：读写选择，对于68系列MPU，高电平时读数据，低电平时写数据；

对于80系列MPU，低电平时允许数据传输，上升沿时锁定数据。

A0：数据/指令选择 高电平：数据D0-D7将送入显示RAM；

低电平：数据D0-D7将送入指令执行器执行。

D0-D7：数据输入输出引脚。

七、指令描述

1、 显示模式设置（显示开关指令）

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H L H L H H H D

功能：开/关屏幕显示,不改变显示RAM(DD RAM)中的内容,也不影响内部状态。D=0，开显示；D=1，

关显示。如果在显示关闭的状态下选择静态驱动模式，那么内部电路将处于安全模式。

该指令不影响显示RAM的内容。

2、 设置显示起始行

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H H L 显示起始行（1～31）

功能：执行该命令后，所设置的行将显示在屏幕的第一行。起始地址可以是0-31范围内任意一行。

行地址计数器具有循环计数功能，用于显示行扫描同步，当扫描完一行后自动加一。

3、 页地址设置

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H L H H H L A1 A0

功能：设置页地址。当MPU要对DD RAM进行读写操作时，首先要设置页地址和列地址。本指令不影响

显示。

A1 A0 页地址

0 0 0

0 1 1

1 0 2

1 1 3

4、 列地址设置

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L L A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

设置页地址和列地址。执

行读写命令后，列地址会自动加1，直到达到50H才会停止，但页地址不变。

A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 列地址

0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 1 1

1 0 0 1 1 1 0 4E

1 0 0 1 1 1 1 4F

5、 读状态指令

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L L H BUSY ADC ON/OFF RESET L L L L

功能：检测内部状态。

BUSY为忙信号位，BUSY =1：内部正在执行操作；BUSY =0：空闲状态。

ADC为显示方向位，ADC=0：反向显示；ADC=1：正向显示。

ON/OFF显示开关状态，ON/OFF=0：显示打开，ON/OFF=1：显示关闭。

RESET复位状态，RESET=0：正常，RESET=1：内部正处于复位初始化状态。

6、 写显示数据

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

H H L Write Data

功能：将8位数据写入DD RAM，该指令执行后，列地址自动加1，所以可以连续将数据写入DD RAM而

不用重新设置列地址。

7、 读显示数据

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

H L H Read Data

功能：读出页地址和列地址限定的DD RAM地址内的数据。当“读-修改-写模式”关闭时，每执行一次

读指令，列地址自动加1，所以可以连续从DD RAM读出数据而不用设置列地址。

注意：再设置完列地址后，首次读显示数据前必须执行一次空的“读显示数据”。这是因为设置完列

地址后，第一次读数据时，出现在数据总线上的数据是列地址而不是所要读出的数据。

8、 设置显示方向

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H L H L L L L D

功能：该指令设置DD RAM中的列地址与段驱动输出的对应关系

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H L H L L H L D

功能：D=0表正常驱动，D=1表示打开静态显示。

如果在打开静态显示时，执行关闭显示指令，内部电路将被置为安全模式。

10、DUTY选择

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H L H L H L L D

功能：设置D=0 表示1/16DUTY，D=1表示1/32DUTY。

11、“读-修改-写”模式设置

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H H H L L L L L

功能：执行该指令以后，每执行一次写数据指令列地址自动加1；但执行读数据指令时列地址不会改

变。这个状态一直持续到执行“END”指令。

注意：在“读-修改-写”模式下，除列地址设置指令之外，其他指令照常执行。

12、END指令

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H H H L H H H L

功能：关闭“读-修改-写”模式，并把列地址指针恢复到打开“读-修改-写”模式前的位置。

13、复位指令

R/W

CODE： A0 /RD /WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

L H L H H H L L L H L

功能：使模块内部初始化。

初始化内容：① 设置显示初始行为第一行；

②页地址设置为第三页。

复位指令对显示RAM没有影响。

14、设置安全模式

通过关闭显示并打开静态显示的方法，可以设置安全模式，以减小功耗。

安全模式下的内部状态：

停止LCD驱动。Segment和Common输出VDD电平。

停止晶体震荡并禁止外部时钟输入，晶振输入OSC2引脚处于不确定状态。

显示数据和内部模式不变。

可通过打开显示或关闭静态显示的方法关闭安全模式。

八、接口时序

⒈ 与68系列MPU接口读写操作时序图

时序１

时序参数表（VDD=5.0±10%,VSS=0V,Ta=-20～+75℃）

名称 符号 最小值 最大值 单位

地址建立时间 Taw6 20 ns

地址保持时间 Tah6 10 ns

系统时钟周期 Tcycs 1000 ns

读 100 ns

E脉冲宽度

写

Tew

80 ns

数据建立时间 Tds6 80 ns

写数据保持时间 Tdh6 10 ns

存取时间 Tacc6 90 ns

读数据保持时间 Tch6 10 60 ns

⒉ 与80系列MPU接口读写操作时序图

时序２

时序参数表（VDD=5.0±10%,VSS=0V,Ta=-20～+70℃）

名称 符号 最小值 最大值 单位

地址建立时间 Taw8 20 ns

地址保持时间 Tah8 10 ns

/RW,/WR周期 Tcyc8 1000 ns

/RW,/WR脉冲宽度 Tcc 200 ns

数据建立时间 Tds8 80 ns

写数据保持时间 Tdh8 10 ns

读存取时间 Tacc8 90 ns

读数据保持时间 Tch8 10 60 ns

九、显示数据存储器（DDRAM）与地址的对应关系

（显示设定为 1/32 DUTY，显示起始行为10th）