Klitzing常数是von Klitzing于1980年所给出来的一个物理参数，现在已经用作为电阻的标准。

Klitzing在低温(1.5 K)、强磁场(18 T)下测量Si-MOSFET沟道中2-DEG的Hall效应时发现了整数量子霍尔效应：当栅极电压Vg增大(即沟道电导增加)时，横向的Hall电压Vy下降，而且有规律性地呈现一系列平台(量子台)，即在各个平台处的Hall电导为G = Ix/Vy = n(q2/h)，n = 1, 2, 3, 4, 5, ……(正整数)，其中(q2/h)≈80µS是量子电导，Rk = h/q2 = 25812.807Ω就称为Klitzing常数；相应各个平台处的Hall电阻R = 1/G = (1/n) (h/q2) = (25812.807/n)Ω，即是有规律的一系列数值，分别为：n=1，R≈25812Ω；n=2，R≈12906Ω；n=3，R≈8604Ω；n=4，R≈6453Ω；n≈5，R=5162Ω；……。

Klitzing常数从1990年开始已经被确定为全球统一的电阻标准（特记为Rk-90）。