基本信息：

HEXFET功率场效应管

逻辑电平门驱动

快速开关功能

功耗：125W

栅源电压：± 10V

雪崩电压：10A

单脉冲雪崩能量：580mJ

重复雪崩能量：13mJ

通态电阻：0.18ohm

漏源击穿电压：200V

栅极门限电压：1.0~2.0V

栅源漏电流：± 100nA

总跨导：66nC

结温：－55℃ ～+150℃

封装：SMD-220

最大功率 ：3.1W

安装类型 ： 表面贴装

漏极至源极电压(Vdss) ：200V

FET 特点 ：逻辑电平门

FET 型 ：N 沟道

封装/外壳 ：D2Pak，TO-263（2 引线 + 接片）

包装 ：管件