基本参数：

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.3A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：550pF @ 25V

功率 - 最大：38W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）

包装：管件