极紫外光刻（ EUVL: Extreme Ultraviolet Lithography ）原理实验早在 80 年代由日本 H. Kinoshita 提出并验证， EUVL 利用波长 13.5nm 或 11.2nm 光源（ Mo/Si 或 Mo/Be 多层膜对该波长具有较高的反射率）、非球面反射物镜实现缩小投影曝光 , 由于波长的减小和使用非球面反射镜 , EUVL 作为实现 45nm － 22nm 分辨率的优选光刻技术之一得到了广泛的重视。 90 年代末期，日本、美国和欧洲政府经费支持下， 开始了较大规模的原理样机研制和产业化设备的开发， 近五年取得了较大的进展。我们从下一代产业化 EUV 曝光机要求出发，研究 EUVL 物镜的设计要求 , 给出 6 枚非球面反射镜物镜系统的光学设计 , 这一设计在 NA=0.25 和 1mm×26mm环带曝光面积内，实现 35nm 分辨率 , 通过掩模硅片同步扫描实现 26mm×33mm大面积曝光。利用光学设计软件 CODE V 对 EUV 光刻物镜进行 1mm×26mm曝光区域内光学特性分析，曝光区域内各点的光学特性不同，全场光学性能分析表明该物镜设计使环带内所有的场点基本满足 50nm 分辨率光刻的要求。根据这一设计， 我们深入研究了光学系统的热变形对光刻性能的影响， 获得了国际知名专家在公开刊物上的高度评价。

晶体管技术的不断发展，使得目前半导体工业广泛使用的可见光电路印刷技术也遭遇瓶颈，在未来3～4年内将会达到物理极限。超紫外线蚀刻技术则采用非可见光——超紫外线（EUV）蚀刻电路，由于超紫外线的波长要短于可见光，因此，这种技术刻写的“线条”更细，可以在较小的面积上集成更多的电路。

利用这种超紫外线蚀刻技术，半导体厂商可以在芯片上蚀刻的线路等级低于0.1微米 ，甚至可以达到0.03微米。预计EUVL技术将在2007年左右进入实用，应用于30～45纳米工艺中。EUVL是未来延续摩尔定律的一种关键技术。