请教各位隐士：

情况是：在（40吋）九节连续式溅镀机上，共有8支靶材，7支铜靶，1支不锈钢靶，进行EMI制程

条件一：摆放9pcs NB产品，在BP压力1.5E-5torr基础上，7支铜靶设置

靶材　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　SuS

功率（kw)　6　6　6　6　6　6　6　5

镀膜时间(sec)3

测量的阻值是7Ω

条件二：摆放6pcs NB产品，在BP压力8E-5torr基础上，7支铜靶设置

靶材　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　Cu　SuS

功率（kw)　9　9　9　9　9　9　9　6

镀膜时间(sec)5

测量的阻值是7Ω

基于这两个参数下，靶材消耗的状况，想请教这位大虾，Cu在两种真空压力下的镀率状况如何？另在此压力下，膜层沉积还有哪些因素导致两种条件差异如此巨大才能达到最终阻值的要求？