这是半绝缘体GaAs中容易出现的一种缺陷中心。它实际上就是取代了晶格中As原子的氧原子，这是一种点缺陷，具有施主型的深能级；这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用。它将使p型GaAs的电阻率增大。

为了减小ELO中心，需要注意除去GaAs中的氧。

另外，ELO中心也具有一定的用处：在掺Cr的GaAs中，为了避免掺Cr带来的不良影响，也可以适当地掺O，以形成一些ELO中心来补偿Cr的不良影响——既掺Cr、又掺O的所谓双掺杂技术。